硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物)
硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物)结构式
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常用名 | 硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物) | 英文名 | SILICON(IV) PHTHALOCYANINE BIS(TRIHEXYL& |
|---|---|---|---|---|
| CAS号 | 92396-89-9 | 分子量 | 1139.78000 | |
| 密度 | N/A | 沸点 | N/A | |
| 分子式 | C68H94N8O2Si3 | 熔点 | 175-177ºC | |
| MSDS | N/A | 闪点 | N/A |
| 中文名 | 硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物) |
|---|---|
| 英文名 | Silicon(IV) phthalocyanine bis(trihexylsilyloxide) |
| 英文别名 | 更多 |
| 熔点 | 175-177ºC |
|---|---|
| 分子式 | C68H94N8O2Si3 |
| 分子量 | 1139.78000 |
| 精确质量 | 1138.68000 |
| PSA | 102.48000 |
| LogP | 15.39100 |
| 储存条件 | 放入紧密的贮藏器内，储存在阴凉，干燥的地方 |
| 稳定性 | 避免接触强氧化剂 |
| 计算化学 | 1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无 2.氢键供体数量:0 3.氢键受体数量:4 4.可旋转化学键数量:34 5.互变异构体数量:无 6.拓扑分子极性表面积101 7.重原子数量:81 8.表面电荷:0 9.复杂度:1890 10.同位素原子数量:0 11.确定原子立构中心数量:0 12.不确定原子立构中心数量:0 13.确定化学键立构中心数量:0 14.不确定化学键立构中心数量:0 15.共价键单元数量:1 |
| 更多 | 1. 性状：未确定 2. 密度（g/mL 25ºC）：未确定 3. 相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定 4. 熔点（ºC常压）：175-177 5. 沸点（ºC）：未确定 6. 沸点（ºC,5.2kPa）：未确定 7. 折射率（n20/D）：未确定 8. 闪点（ºC，）：未确定 9. 比旋光度（º）：未确定 10. 自燃点或引燃温度（ºC）：未确定 11. 蒸气压（kPa,25ºC）：未确定 12. 饱和蒸气压（kPa,60ºC）：未确定 13. 燃烧热（KJ/mol）：未确定 14. 临界温度（ºC）：未确定 15. 临界压力（KPa）：未确定 16. 油水（辛醇/水）分配系数的对数值（25℃）：未确定 17. 爆炸上限（%,V/V）：未确定 18. 爆炸下限（%,V/V）：未确定 19. 溶解性(mg/mL) ：未确定 |
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~94%
硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物) 92396-89-9 |
| 文献：BASF SE Patent: US2010/113767 A1, 2010 ; Location in patent: Page/Page column 11 ; |
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~%
详细
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| 文献：BASF SE Patent: US2010/113767 A1, 2010 ; Location in patent: Page/Page column 12 ; |
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详细
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| 文献：BASF SE Patent: US2010/113767 A1, 2010 ; Location in patent: Page/Page column 13 ; |
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~54%
硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物) 92396-89-9 |
| 文献：BASF SE Patent: US2010/113767 A1, 2010 ; Location in patent: Page/Page column 10-11 ; |
| Dinitride disilicon oxide |
| silicon oxynitrile |
| MFCD00209612 |
| Silicon oxynitride |
