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12067-54-8

12067-54-8结构式
12067-54-8结构式
  • 常用中文名:thorium disilicide
  • 常用英文名:thorium disilicide
  • CAS号:12067-54-8
  • 分子式:H8Si2Th
  • 分子量:296.27300
  • 发布时间:2017-11-29 01:13:49
  • 更新时间:2024-01-19 17:28:36

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英文名 bis(λ2-silanylidene)thorium
英文别名 Thorium disilicide
EINECS 235-079-2
Thorium silicide (ThSi2)
Thorium silicide
分子式 H8Si2Th
分子量 296.27300
精确质量 296.05500
计算化学

1.疏水参数计算参考值(XlogP):无

2.氢键供体数量:0

3.氢键受体数量:0

4.可旋转化学键数量:0

5.互变异构体数量:无

6.拓扑分子极性表面积0

7.重原子数量:3

8.表面电荷:0

9.复杂度:18.3

10.同位素原子数量:0

11.确定原子立构中心数量:0

12.不确定原子立构中心数量:0

13.确定化学键立构中心数量:0

14.不确定化学键立构中心数量:0

15.共价键单元数量:1

更多

1.性状:黑色四方晶体。

2.密度(g/cm3):7.96 。

3.溶解度:能溶于热盐酸,略溶于硫酸。

用Si还原ThO2可得到ThSi2。

以适当的比例(ThO2与4Si质量比为14.8g∶22.47g)称取待反应的样品,用苯润湿,在一机械动力驱动的玛瑙研钵中充分混合。此操作十分重要,否则很难维持一个稳定的反应区域。在一特殊的(可拆卸的)塑模中使用20t的水压将样品压制成两个(5×5×90)mm3的棒,然后使这两个棒分开,在中心处用线连接固定起来,以避免在安装或测定操作中发生扭曲。

两棒的接触点置于阴极系统内,开启加速电压,一般为3~5kV(具体值要由试验确定)。增大阴极电流至样品棒的上半部顶端比下半部稍热,当电流进一步增大时,反应开始。随着阴极电流的进一步增大,样品棒形成一窄的熔融区,生成的气态一氧化硅因冷凝而不会影响系统的真空度。用机械装置来控制反应区的加热,用电子控制器控制电流的稳定性,以建立稳定的反应区,此过程将所给的氧化物转化为与硅的合金。确定硅合金的组成后,将合金与所需量的硅(市场上可买到的纯硅)混合得到所要求的金属与硅的比例。当加入适当过量的硅则可以得到很接近于所要求的组成,事实上,还原最好在有相当过量硅存在的情况下进行,所得产品就是硅化物和单质硅的混合物,后者可通过溶解在稀的煮沸的氢氧化钠溶液中而被除去。