thorium disilicide
thorium disilicide结构式
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常用名 | thorium disilicide | 英文名 | thorium disilicide |
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| CAS号 | 12067-54-8 | 分子量 | 296.27300 | |
| 密度 | N/A | 沸点 | N/A | |
| 分子式 | H8Si2Th | 熔点 | N/A | |
| MSDS | N/A | 闪点 | N/A |
| 英文名 | bis(λ2-silanylidene)thorium |
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| 英文别名 | 更多 |
| 分子式 | H8Si2Th |
|---|---|
| 分子量 | 296.27300 |
| 精确质量 | 296.05500 |
| 计算化学 | 1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无 2.氢键供体数量:0 3.氢键受体数量:0 4.可旋转化学键数量:0 5.互变异构体数量:无 6.拓扑分子极性表面积0 7.重原子数量:3 8.表面电荷:0 9.复杂度:18.3 10.同位素原子数量:0 11.确定原子立构中心数量:0 12.不确定原子立构中心数量:0 13.确定化学键立构中心数量:0 14.不确定化学键立构中心数量:0 15.共价键单元数量:1 |
| 更多 | 1.性状：黑色四方晶体。 2.密度（g/cm3）：7.96 。 3.溶解度：能溶于热盐酸，略溶于硫酸。 |
用Si还原ThO2可得到ThSi2。
以适当的比例(ThO2与4Si质量比为14.8g∶22.47g)称取待反应的样品，用苯润湿，在一机械动力驱动的玛瑙研钵中充分混合。此操作十分重要，否则很难维持一个稳定的反应区域。在一特殊的(可拆卸的)塑模中使用20t的水压将样品压制成两个（5×5×90）mm3的棒，然后使这两个棒分开，在中心处用线连接固定起来，以避免在安装或测定操作中发生扭曲。
两棒的接触点置于阴极系统内，开启加速电压，一般为3～5kV(具体值要由试验确定)。增大阴极电流至样品棒的上半部顶端比下半部稍热，当电流进一步增大时，反应开始。随着阴极电流的进一步增大，样品棒形成一窄的熔融区，生成的气态一氧化硅因冷凝而不会影响系统的真空度。用机械装置来控制反应区的加热，用电子控制器控制电流的稳定性，以建立稳定的反应区，此过程将所给的氧化物转化为与硅的合金。确定硅合金的组成后，将合金与所需量的硅(市场上可买到的纯硅)混合得到所要求的金属与硅的比例。当加入适当过量的硅则可以得到很接近于所要求的组成，事实上，还原最好在有相当过量硅存在的情况下进行，所得产品就是硅化物和单质硅的混合物，后者可通过溶解在稀的煮沸的氢氧化钠溶液中而被除去。
| Thorium disilicide |
| EINECS 235-079-2 |
| Thorium silicide (ThSi2) |
| Thorium silicide |
