thorium disilicide

[ 分子式 ]:
H₈Si₂Th

[ 分子量 ]:
296.27300

[ 精确质量 ]:
296.05500

用Si还原ThO2可得到ThSi2。

以适当的比例(ThO2与4Si质量比为14.8g∶22.47g)称取待反应的样品，用苯润湿，在一机械动力驱动的玛瑙研钵中充分混合。此操作十分重要，否则很难维持一个稳定的反应区域。在一特殊的(可拆卸的)塑模中使用20t的水压将样品压制成两个（5×5×90）mm³的棒，然后使这两个棒分开，在中心处用线连接固定起来，以避免在安装或测定操作中发生扭曲。

两棒的接触点置于阴极系统内，开启加速电压，一般为3～5kV(具体值要由试验确定)。增大阴极电流至样品棒的上半部顶端比下半部稍热，当电流进一步增大时，反应开始。随着阴极电流的进一步增大，样品棒形成一窄的熔融区，生成的气态一氧化硅因冷凝而不会影响系统的真空度。用机械装置来控制反应区的加热，用电子控制器控制电流的稳定性，以建立稳定的反应区，此过程将所给的氧化物转化为与硅的合金。确定硅合金的组成后，将合金与所需量的硅(市场上可买到的纯硅)混合得到所要求的金属与硅的比例。当加入适当过量的硅则可以得到很接近于所要求的组成，事实上，还原最好在有相当过量硅存在的情况下进行，所得产品就是硅化物和单质硅的混合物，后者可通过溶解在稀的煮沸的氢氧化钠溶液中而被除去。

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