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磷化铟

磷化铟用途

【用途一】
用作半导体材料，用于光纤通讯技术，需要1.1～1.6μm范围内的光源和接受器。在 InP衬底上生长In-GaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配，又能满足波长范围的要求。

磷化铟名称

[ CAS 号 ]:
22398-80-7

[ 中文名 ]:
磷化铟

[ 英文名 ]:
Indium phosphide (InP)

[中文别名 ]:

磷化铟(III)

[英文别名 ]:

MFCD00016153
polycrystallinelump
INDIUM(III) PHOSPHIDE
Indium phosphide (InP)
EINECS 244-959-5
Phosphinidyneindium(III)
InP
indiummonophosphide
Indiumphsophidewafer
Indium phosphide wafer

磷化铟物理化学性质

[ 密度 ]:
4,787 g/cm3

[ 熔点 ]:
1070°C

[ 分子式 ]:
H₂InP

[ 分子量 ]:
147.80800

[ 精确质量 ]:
147.89300

[ LogP ]:
0.32580

[ 外观性状 ]:
pieces

[ 储存条件 ]:
库房通风低温干燥

磷化铟MSDS

详细MSDS(安全技术说明书)

磷化铟毒性和生态

CHEMICAL IDENTIFICATION

RTECS NUMBER :: NL1800000

CHEMICAL NAME :: Indium phosphide

CAS REGISTRY NUMBER :: 22398-80-7

LAST UPDATED :: 199712

DATA ITEMS CITED :: 3

MOLECULAR FORMULA :: In-P

MOLECULAR WEIGHT :: 145.79

磷化铟安全信息

[ 符号 ]:

GHS08

[ 信号词 ]:
Danger

[ 危害声明 ]:
H350-H361f-H372

[ 警示性声明 ]:
P201-P281-P308 + P313

[ 靶器官 ]:
Lungs

[ 危害码 (欧洲) ]:
T

[ 安全声明 (欧洲) ]:
S24/25

[ 危险品运输编码 ]:
3288

[ WGK德国 ]:
3

[ RTECS号 ]:
NL1800000

磷化铟制备

用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法，并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延，多采用In-PCl3-H2系统的歧化法，在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之间的反应来生长磷化铟层。
气相外延将石英反应管放在双温区电炉中，已净化的高纯氢气经计量通入，氢气也用来稀释三氯化磷，此时彭泡器保持在0℃，通过反应管内的氢气线速度为14 cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。
在第一阶段，将盛有铟的石英舟放在电炉中源区，通入氢气并加热到700～850℃，再用氢气将三氯化磷引入，在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。
在第二阶段，铟源保持在原位置不加热，单晶衬底放在电炉的第二加温区后，在氢气氛下加热到600～750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管内对衬底进行气相腐蚀，清洗衬底表面。再将氢气直接引入反应管，并把源加热到它的过饱和温度(在操作中此温度比衬底晶体的温度高100℃)。然后通过氢气鼓泡将三氯化磷引入，这时磷蒸气与在源区生成的一氯化铟反应，在衬底上淀积生长出磷化铟层。当外延生长完成后，向系统中通入纯氢气，将两个温区冷却到室温，取出产物，制得磷化铟成品。

2.取化学计量的铟和红磷封入石英管中，反应温度在700℃经350～400h，可制得InP,收率为94%～95%。

3.用铟和比化学计算量略多的Zn3P2按合成AlP相同的方法，在700～800℃下加热1～2日则可制得磷化铟。本法收率低。产物用稀盐酸处理就可以得到纯的InP。

4.由卤素反应系统制取的方法。在高真空中，加热650℃以上，使InP升华。欲制得纯的InP，要使用过量的In。

磷化铟文献

InGaAsP-based uni-travelling carrier photodiode structure grown by solid source molecular beam epitaxy.

Opt. Express 20(17) , 19279-88, (2012)

We report the first InGaAsP-based uni-travelling carrier photodiode structure grown by Solid Source Molecular Beam Epitaxy; the material contains layers of InGaAsP as thick as 300 nm and a 120 nm thic...

Structural and optical investigation of GaInP quantum dots according to the growth thickness for the 700 nm light emitters.

J. Nanosci. Nanotechnol. 13(1) , 564-7, (2013)

We investigate Ga0.33In0.67P quantum dot structures appropriate for special lighting applications in terms of structural and optical behaviors. The Ga0.33In0.67P materials form from 2-dimentional to 3...

Stretchable semiconductor technologies with high areal coverages and strain-limiting behavior: demonstration in high-efficiency dual-junction GaInP/GaAs photovoltaics.

Small 8(12) , 1851-6, (2012)

Notched islands on a thin elastomeric substrate serve as a platform for dual-junction GaInP/GaAs solar cells with microscale dimensions and ultrathin forms for stretchable photovoltaic modules. These ...

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