硅结构式
|
常用名 | 硅 | 英文名 | Silicon |
---|---|---|---|---|
CAS号 | 7440-21-3 | 分子量 | 28.09000 | |
密度 | 2.33 | 沸点 | 2355ºC | |
分子式 | Si | 熔点 | 1410ºC | |
MSDS | 中文版 美版 | 闪点 | N/A | |
符号 |
GHS02 |
信号词 | Warning |
硅用途1.高纯的单晶硅是重要的半导体材料。金属陶瓷、宇宙航行的重要材料。光导纤维通信,最新的现代通信手段。性能优异的硅有机化合物。硅是一种半导体材料,可用于制作半导体器件和集成电路。还可以合金的形式使用(如硅铁合金),用于汽车和机械配件。也与陶瓷材料一起用于金属陶瓷中。还可用于制造玻璃、混凝土、砖、耐火材料、硅氧烷、硅烷。制造硅烷和硅酮。制造硅有机化合物、合金、耐火材料等。 2.主要用于半导体、合金、有机硅高分子材料。高纯的单晶硅是重要的半导体材料。用作二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路材料。在开发能源方面也是一种很有前途的材料,可以制造太阳能电池等。将陶瓷和金属混合烧结,制成金属陶瓷复合材料,耐高温,富韧性,可以切割,集合了金属和陶瓷的优点,是金属陶瓷、宇宙航行的重要材料。用纯二氧化硅制得的高透明度的玻璃纤维,光纤通信容量高,且不受电、磁干扰,并具有高度的保密性,可用于光导纤维通信。硅有机化合物可作为塑料、涂料等,得到了广泛应用。 3.用于制造合金、有机硅化合物和四氯化硅等,是一种极重要的半导体材料。
更多
|
中文名 | 单质硅 |
---|---|
英文名 | silicon atom |
中文别名 | 硅粉 | 硅 | 硅片 | 硅单晶 |
英文别名 | 更多 |
密度 | 2.33 |
---|---|
沸点 | 2355ºC |
熔点 | 1410ºC |
分子式 | Si |
分子量 | 28.09000 |
精确质量 | 27.98000 |
外观性状 | 银色-灰色固体 |
储存条件 | 储存注意事项储存于阴凉、干燥、通风良好的库房。库温不宜超过35℃。远离火种、热源。包装要求密封,不可与空气接触。应与氧化剂等分开存放,切忌混储。采用防爆型照明、通风设施。禁止使用易产生火花的机械设备和工具。储区应备有合适的材料收容泄漏物。 |
稳定性 | 1.晶体硅属于原子晶体,硬而有光泽,是典型的半导体。在常温下,除氟化氢以外,很难与其他物质发生反应,不溶于水、硝酸和盐酸,溶于氢氟酸和碱液。在高温下能与氧气等多种元素化合。具有硬度高、不吸水、耐热、耐酸、耐磨和耐老化等特点。硅在自然界分布极广,地壳中约含27.6%,主要以二氧化硅和硅酸盐的形式存在。 2.生产设备要密闭,车间通风应良好。生产人员工作时要佩戴防毒口罩,密闭眼镜,穿工作服等劳动保护用品,以防止呼吸器官、眼睛和皮肤接触。中毒者应立即转移到新鲜空气中进行人工呼吸、输氧,注射葡萄糖及强心剂,并迅速送医院治疗。 3.硅粉与钙、碳化铯、氯、氟化钴、氟、三氟化碘、三氟化锰、碳化铷、氟化银、钾钠合金剧烈反应。粉尘遇火焰或与氧化剂接触发生反应,有中等程度的危险性。 4.稳定性 稳定 5.禁配物 强氧化剂、水蒸气 6.避免接触的条件 潮湿空气 7.聚合危害 不聚合 |
水溶解性 | INSOLUBLE |
分子结构 | 1、摩尔折射率:无可用的 2、摩尔体积(cm3/mol):无可用的 3、等张比容(90.2K):无可用的 4、表面张力(dyne/cm):无可用的 5、介电常数:无可用的 6、极化率:无可用的 7、单一同位素质量:27.974732 Da 8、标称质量:28 Da 9、平均质量:28.0833 Da |
计算化学 | 1.疏水参数计算参考值(XlogP):无 2.氢键供体数量:0 3.氢键受体数量:0 4.可旋转化学键数量:0 5.互变异构体数量:无 6.拓扑分子极性表面积0 7.重原子数量:1 8.表面电荷:0 9.复杂度:0 10.同位素原子数量:0 11.确定原子立构中心数量:0 12.不确定原子立构中心数量:0 13.确定化学键立构中心数量:0 14.不确定化学键立构中心数量:0 15.共价键单元数量:1 |
更多 | 1.性状:黑褐色无定形非金属粉末。 2.熔点(℃):1410 3.沸点(℃):2355 4.相对密度(水=1):2.30(20℃) 5.饱和蒸气压(kPa):0.13(1724℃) 6.临界压力(MPa):53.6 7.溶解性:不溶于水,不溶于盐酸、硝酸,溶于氢氟酸、碱液。 |
|
硅毒理学数据: 1.急性毒性 LD50:3160mg/kg(大鼠经口) 2.刺激性 暂无资料 硅生态学数据: 1.生态毒性 暂无资料 2.生物降解性 暂无资料 3.非生物降解性 暂无资料 |
符号 |
GHS02 |
---|---|
信号词 | Warning |
危害声明 | H228 |
警示性声明 | P210 |
个人防护装备 | Eyeshields;Gloves;type N95 (US);type P1 (EN143) respirator filter |
危害码 (欧洲) | F:Flammable |
风险声明 (欧洲) | R11 |
安全声明 (欧洲) | S16-S33-S7/9 |
危险品运输编码 | UN 2922 8/PG 2 |
WGK德国 | 2 |
RTECS号 | VW0400000 |
包装等级 | III |
危险类别 | 4.1 |
海关编码 | 2804690000 |
硅上游产品 10 | |
---|---|
硅下游产品 10 | |
1.三氯氢硅法:将干燥的硅粉加入合成炉中,与通入的干燥氯化氢气体在280~330℃有氯化亚铜催化剂存在下进行氯化反应,反应气体经旋风分离除去杂质,再用氯化钙冷冻盐水将气态三氯氢硅冷凝成液体,经粗馏塔蒸馏和冷凝,除去高沸物和低沸物,再经精馏塔蒸馏和冷凝,得到精制三氯氢硅液体。纯度达到7个“9”以上、杂质含量小于1×10-7,硼要求在0.5×10-9以下。提纯后的三氯氢硅送入不锈钢制的还原炉内,用超纯氢气作还原剂,在1050~1100℃还原成硅,并以硅芯棒为载体,沉积而得多晶硅成品。其反应式如下:
图XIV-6 硅的制取装置
2.用SiO2含量大约为95%的硅石和灰分少的焦炭混合,加热到1900℃左右进行还原。此方法制得的硅纯度为97%~98%,被称作金属硅。再将金属硅融化后进行重结晶,用酸除去杂质,得到纯度为99.7%~99.8%的金属硅。如要将它做成半导体用硅,还要将其转化成易于提纯的液体或气体形式,再经蒸馏、分解过程得到多晶硅。如需得到高纯度的硅,则需要进行进一步的提纯处理。
3.用SiO2含量大约为95%的硅石和灰分少的焦炭混合,用1000~3000kVA开式电弧炉,加热到1900℃左右进行还原。
海关编码 | 2804690000 |
---|
Silylation of C-H bonds in aromatic heterocycles by an Earth-abundant metal catalyst.
Nature 518(7537) , 80-4, (2015) Heteroaromatic compounds containing carbon-silicon (C-Si) bonds are of great interest in the fields of organic electronics and photonics, drug discovery, nuclear medicine and complex molecule synthesi... |
|
A 5-day method for determination of soluble silicon concentrations in nonliquid fertilizer materials using a sodium carbonate-ammonium nitrate extractant followed by visible spectroscopy with heteropoly blue analysis: single-laboratory validation.
J. AOAC Int. 96(2) , 251-9, (2013) A 5-day method for determining the soluble silicon (Si) concentrations in nonliquid fertilizer products was developed using a sodium carbonate (Na2CO3)-ammonium nitrate (NH4NO3) extractant followed by... |
|
Diagnostic use of cerebral and extracerebral oxysterols.
Clin. Chem. Lab Med. 42(2) , 186-91, (2004) 24S-Hydroxycholesterol (24OHC) and 27-hydroxycholesterol (27OHC) are two structurally similar oxysterols of different origins--the former almost exclusively formed in the brain and the latter formed t... |
porous silicon |
silicon powder |
MFCD00085311 |
Silicon |
EINECS 231-130-8 |